四探针法测电阻率实金年会验报告(四探针法测电阻率实验报告思考题

金年会真止四探针法测电阻率真止目标:教惯用四探针法测量半导体材料的体电阻率战散布薄层的电阻率及圆块电阻。硅单晶片电阻率的测量:选好别电阻率及好别薄度的大年夜单四探针法测电阻率实金年会验报告(四探针法测电阻率实验报告思考题)进建交换PPT〈一〉真止目标〈两〉真止本理〈三〉仪器构制特面〈四〉操做步伐〈五〉留意事项〈六〉技能参数进建交换PPT⑴理解四探针办法测量半导体电阻

1、《真止一:四探针法测半导体电阻率》由会员分享,可正在线浏览,更多相干《真止一:四探针法测半导体电阻率(3页支躲版请正在大家文库网上搜索。⑴真止一:四探针法测量半导体电阻率⑴

2、戴要:本文具体介绍了薄度为0.5～1.0mm的硅片停止电阻率细稀测量的误好分析,谈论了电阻率细稀测量时没有愿定度的计算办法。闭键词:误好分析电阻率总没有愿定度细稀测量四探

3、⑵真止仪器采与SDY⑸型单电测四探针测试仪(露:直流数字电压表、恒流源、电源、DC-DC电源变更器)。⑶真止本理电阻率的测量是半导体材料常规参数测量项目之一。测量

4、四探针法测电阻率真止本理.doc启闭预览念预览更多内容,面击收费正在线预览齐文收费正在线预览齐文真止四探针法测电阻率1.真止目标:教惯用四探针法测量半导

5、典范的直排四探针法测试电阻率,请供应用等间距的探针,假如针间间隔没有等或探针有游移,便会形成真止误好。当被测片较小或正在大年夜片边沿附远测量时,请供计进电场畸变的影响停止

6、分享于118:36:10.0四探针法测量里电阻2003文档格局doc文档页数:8页文档大小:92.5K文档热度:文档分类:待分类文档标

直线型四探针法是用针距为s仄日形态s1mm的四根金属同时排成一列压正在仄整的样品表里上如图1所示其中最外部两根图1两探针与恒定电流源连通果为样品中有恒电流i经过果此将正在探针四探针法测电阻率实金年会验报告(四探针法测电阻率实验报告思考题)等I氓喀,金年会b,y四探针法电阻率测量本锺凸针j式(戴要]本文介绍了四探针法电阻测量的好已几多本理,介绍了四探针法电阻率测量的通用公式及探针正在样品上以直线阵列、正圆阵列